一般的に使用される半導体圧力センサーは、基板としてN型シリコンウェーハを使用します。第一に、シリコンウェーハは、特定のジオメトリを備えた弾性応力を持つ部分にします。シリコンウェーハの応力を伴う部分では、4つのp型拡散抵抗が異なる結晶方向に沿って作成され、次にこれらの4つの抵抗器で4枚の腕のホイートストーンブリッジが形成されます。外力の作用により、抵抗値の変化は電気信号になります。圧力効果を備えたこのホイートストーンブリッジは、圧力センサーの中心であり、通常はピエゾレスブリッジと呼ばれます（図1に示すように）。ピエゾレス橋の特性は次のとおりです。 bridge橋の隣接する腕のピエゾレオスの効果は、価値が等しく、標識は反対です。 bridge橋の4つの腕の抵抗温度係数は同じであり、常に同じ温度です。図1、R0は、室温での応力のない抵抗値です。 RTは、温度が変化するときの温度抵抗係数（α）によって引き起こされる変化です。 orrδは、ひずみ（ε）によって引き起こされる抵抗の変化です。ブリッジの出力電圧は、u =i0ΔrΔ=i0rgδ（定電源ブリッジ）です。

ここで、i0は定量電源電流であり、Eは定電圧源電圧です。ピエゾ抵抗ブリッジの出力電圧は、ひずみ（ε）に直接比例し、抵抗の温度係数によって引き起こされるRTとは何の関係もありません。これにより、センサーの温度ドリフトが大幅に低下します。最も広く使用されている半導体圧力センサーは、流体圧を検出するためのセンサーです。その主な構造は、単結晶シリコンで作られたカプセルです（図2に示すように）。ダイアフラムはカップになり、カップの底は外力を帯びた部分であり、圧力ブリッジはカップの底に作られています。リング台座は同じシリコン単結晶材料で作られており、ダイアフラムは台座に結合されます。この種の圧力センサーには、高感度、少量、堅牢性の利点があり、航空、宇宙ナビゲーション、自動化機器、医療機器で広く使用されています。