半導体圧力センサーは2つのカテゴリに分割できます。1つは、ストレス下で半導体PN接合部（またはSchottkyジャンクション）の変化のI-υ特性に基づいています。この圧力に敏感な要素のパフォーマンスは非常に不安定であり、大きく開発されていません。もう1つは、半導体ピエゾレス症の効果に基づいたセンサーです。これは、半導体圧力センサーの主要な種類です。初期の時代には、半導体ひずみゲージが主に弾性元素に取り付けられ、さまざまな応力と歪み測定器を作りました。 1960年代、半導体統合回路技術の開発により、ピエゾロ抵抗性要素が現れたときの拡散抵抗を備えた半導体圧力センサーが現れました。この種の圧力センサーには、シンプルで信頼性の高い構造があり、相対的な可動部品はなく、センサーの圧力感度の要素と弾性要素が統合されており、機械的な遅延とクリープを回避し、センサーの性能を向上させます。

半導体半導体のピエゾロ抵抗効果には、外力に関連する特徴があります。つまり、耐摩耗性（シンボルρで表される）変化が耐える応力とともに変化します。単位応力の作用下での抵抗率の相対的な変化は、シンボルπで表されるピエゾ抵抗係数と呼ばれます。数学的にρ/ρ=πσとして表されます。

ここで、σは応力を表します。応力下での半導体抵抗性によって引き起こされる抵抗値（R/R）の変化は、主に抵抗率の変化によって決定されるため、ピエゾ抵抗効果の発現はr/r =πσとして記述することもできます。

外力の作用下では、特定の応力（σ）とひずみ（ε）が半導体結晶で生成され、それらの間の関係は、ヤングの材料（y）、つまりy =σ/εによって決定されます。

ピエゾ抵抗効果が半導体上のひずみによって表される場合、それはr/r =gεです。

Gは圧力センサーの感度係数と呼ばれ、単位ひずみ下での抵抗値の相対的な変化を表します。

ピエゾレオス係数または感度係数は、半導体ピエゾ抵抗効果の基本的な物理パラメーターです。それらの関係は、ストレスとひずみの関係と同じように、材料の若者の弾性、つまりg =πyによって決定されます。

弾力性における半導体結晶の異方性のため、ヤング率とピエゾヨーロレスの係数は、結晶の方向性を変化させます。半導体ピエゾレス抵抗効果の大きさは、半導体の抵抗率にも密接に関連しています。抵抗率が低いほど、感度係数が小さくなります。拡散抵抗のピエゾ抵抗効果は、拡散抵抗の結晶方向と不純物濃度によって決定されます。不純物濃度は、主に拡散層の表面不純物濃度を指します。