ピエゾレオスセンサーの構造

このセンサーでは、抵抗器ストリップは統合プロセスによって単結晶シリコンダイアフラムに統合され、シリコンピエゾヨーロレスチップを作成し、このチップの周辺がシェルに正当にパッケージ化され、電極リードが導かれます。固形状態の圧力センサーとしても知られるピエゾレオス型圧力センサーは、弾力性に敏感な要素を介して間接的に外力を感じる必要があるが、シリコンダイアフラムを通して測定された圧力を感じる必要がある接着ひずみゲージとは異なる。

シリコンダイアフラムの片側は、測定された圧力と通信する高圧空洞であり、もう一方の側は大気と通信する低圧空洞です。一般に、シリコンダイアフラムは固定末梢の円として設計されており、直径と厚さの比は約20〜60です。4p不純物抵抗ストリップは、円形のシリコンダイアフラムで局所的に拡散し、フルブリッジに接続されています。

さらに、正方形のシリコンダイアフラムとシリコンカラムセンサーもあります。シリコン円筒センサーは、シリコンシリンダーの結晶面の特定の方向に拡散することにより抵抗性ストリップでできており、2つの引張ストレス抵抗ストリップと2つの圧縮ストレス抵抗ストリップが完全なブリッジを形成します。

Piezoresistiveセンサーは、半導体材料のピエゾ抵抗効果に従って、半導体材料の基質上の拡散抵抗によって作られたデバイスです。その基質は測定センサーとして直接使用でき、拡散抵抗はブリッジの形で基板に接続されています。

基板が外力によって変形されると、抵抗値が変化し、ブリッジは対応する不均衡な出力を生成します。ピエゾ抵抗センサーとして使用される基質（または横隔膜）は、主にシリコンウェーハとゲルマニウムウェーハです。敏感な材料としてシリコンウェーハで作られたシリコンピエゾレゾレジーセンサーは、ますます注目を集めています。特に、圧力と速度を測定するための固体ピエゾヨーロレスセンサーが最も広く使用されています。